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晶圓的應(yīng)用領(lǐng)域
封裝之后的晶圓叫做集成電路。目前，集成電路在信息、通訊、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、智能駕駛、航天航空、醫(yī)療電子及其他消費(fèi)類領(lǐng)域占比不斷擴(kuò)大并保持增長(zhǎng)，所有涉及到電路的電子產(chǎn)品都會(huì)使用到集成電路。
晶圓的材料特性
晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再把此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過(guò)程稱為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過(guò)切段，滾磨，切片，倒角，拋光，蝕刻設(shè)計(jì)，使其帶有獨(dú)立電氣性能，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。
切割時(shí)的注意事項(xiàng)
晶圓切割需要在晶圓切割機(jī)主軸上安裝一個(gè)帶有輪轂的金剛石刀片，沿著晶圓表面設(shè)計(jì)好的街區(qū)橫向和縱向切割，分離成單獨(dú)的小顆粒。
在晶圓切割過(guò)程中要特別注意以下幾點(diǎn)，以避免產(chǎn)生品質(zhì)隱患。
接觸晶圓首先要做好靜電防護(hù)（10E6Ω至10E9Ω），避免損傷晶圓；
使用電阻阻值為13-18MΩ的去離子冷卻水或在純水中添加Diamaflow切削液，能有效避免產(chǎn)品氧化及硅粉殘留；
使用純水二氧化碳發(fā)泡機(jī)（0.6M±0.1）避免臟污和靜電損傷；
選擇適合的切割刀片及適合的工藝參數(shù)，保證切割效果；
